1. Mengetahui karakterisitik rangkaian depletion type mosfet
2. Membuat simulasi rangkaian depletion type mosfet
Untuk MOSFET deplesi n-channel pada Gambar 6.29, tentukan:
(a) IDQ dan VGSQ.
(b) VDS.
Solusi :
(a) Untuk karakteristik transfer, titik plot didefinisikan oleh ID ID / 4
6 mA / 4 1,5 mA dan VGS VP / 2 3 V / 2 1,5 V. Dengan mempertimbangkan
tingkat VP dan fakta bahwa persamaan Shockley mendefinisikan sebuah
kurva yang naik lebih cepat karena VGS menjadi lebih positif, titik plot
akan didefinisikan pada VGS 1 V. Menggantikan persamaan Shockley
menghasilkan :
ID = IDSS (1 - VGS)2-Vr
= 6 mA (1- 1V)2 -3V
= 6mA (1+1/3)2 = 6 mA (1.778)
= 10.67 mA
Kurva transfer yang dihasilkan muncul pada Gambar 6.30. Prosiding seperti yang dijelaskan untuk JFET, kita memiliki:
Eq. (6.15): VG = 10MΩ (18V) = 1.5 V
10 MΩ + 110MΩ
Eq. (6.16): VGS = VG - IDRS = 1.5 V - ID(750 Ω)
Dimana ID = 0 MΩ , menghasilkan : VGS = VG = 1.5 V
Dan VGS = 0V Jadi,
ID = VG - 1.5V = 2 Ma
Rs 750Ω
Titik plot dan garis bias yang dihasilkan muncul pada Gambar 6.30. Titik operasi yang dihasilkan:
IDQ = 3.1 mA
VGSQ = -0.8 V
(b) Eq. (6.19): VDS = VDD - ID(RD + RS)
= 18 V - (3.1 mA)(1.8 kΩ + 750 Ω)
≅ 10.1 V
Ulangi Contoh 6.7 dengan RS 150Ω
Solusi :
(a) Titik plot sama untuk kurva transfer seperti ditunjukkan pada Gambar 6.31. Untuk garis bias,
VGS =VG- IDRS = 1.5 V – ID (150Ω)
Dimana ID = 0 mA, sehingga :
VGS = 1.5 V
Dan VGS = 0V maka :
ID = VG = 1.5 V = 10 mA
Rs 150Ω
Garis bias disertakan pada Gambar 6.31. Perhatikan dalam kasus ini bahwa
titik diam mengacu pada arus penguras yang melebihi IDSS, dengan nilai
positif untuk VGS. Hasilnya:
IDQ = 7.6 mA
VGSQ = + 0.35
(b) Eq. (6.19): VDS = VDD - ID(RD + RS)
= 18 V - (7.6 mA)(1.8 kΩ + 150 Ω)
= 3.18 V
Tentukan yang berikut untuk jaringan pada Gambar 6.32.
(a) IDQ dan VGSQ.
(b) VD.
Solusi :
(a) Konfigurasi self-bias menghasilkan
VGS = - IDRS
seperti yang diperoleh untuk
konfigurasi JFET, menetapkan fakta bahwa VGS harus kurang dari nol volt.
Oleh karena itu, tidak ada persyaratan untuk merencanakan kurva
transfer untuk nilai VGS yang positif, walaupun pada kesempatan ini
dilakukan untuk melengkapi karakteristik transfer. Titik plot untuk
karakteristik transfer untuk VGS < 0 V adalah
ID= IDSS = 8 mA = 2 mA
4 4
Dan
VGS = VP = -8 V = -4 V
2 2
dan untuk VGS > 0 V, karena VP = - 8 V, kita akan memilih
VGS = +2 V
dan
ID = IDSS (1 – VGS)2 = 8 mA (1 - 2 V)2 = 12,5 mA
Vp -8 V
Kurva transfer yang dihasilkan
muncul pada Gambar 6.33. Untuk garis bias jaringan, pada VGS = 0 V, ID= 0
mA. Memilih VGS = -6 V memberikan :
ID = - VGS = - -6V = 2.5 mA
Rs 2.4 kΩ
Q-point yang dihasilkan:
IDQ = 1,7 mA
VGSQ = 4.3 V
(b) VD = VDD - IDRD
= 20 V - (1,7 mA) (6,2 kΩ)
= 9,46 V
Contoh untuk mengikuti menggunakan desain yang juga bisa diterapkan pada
sensor JFET. Pada kesan pertama tampak agak sederhana, namun nyatanya
sering menimbulkan kebingungan saat pertama kali dianalisis karena titik
operasi khusus.
Tentukan VDS untuk jaringan pada Gambar 6.34.
Solusi :
Sambungan langsung antara terminal gerbang dan terminal sumber mengharuskan
VGS = 0 V
Karena VGS ditetapkan pada 0 V, arus penguras arus harus IDSS (menurut definisi). Dengan kata lain,
VGSQ = 0 V
dan
IDQ = 10 mA
Oleh karena itu, tidak perlu menggambar kurva transfer dan
VD = VDD - IDRD = 20 V - (10 mA) (1,5 kΩ)
= 20 V - 15 V
= 5 V
Ketika tidak ada tegangan pada Gate maka kondusi channel berada pada
kondisi maksimum. Karena tegangan pada gerbang positif atau negative konduksi
pada channel menurun.
1. Resistor
Resistor merupakan
komponen elektronik yang memiliki dua pin dan didesain untuk mengatur
tegangan listrik dan arus . Resistor mempunyai nilai resistansi
(tahanan) tertentu yang dapat memproduksi tegangan listrik di antara
kedua pin dimana nilai tegangan terhadap resistansi tersebut berbanding lurus
dengan arus yang mengalir, berdasarkan persamaan hukum ohm.
Cara
membaca resistor:
2. Transistor
Transistor
adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus
dan penyambung, stabilisasi tegangan dan modulasi sinyal.
3. Kapasitor
Kapasitor atau kondensator oleh
ditemukan oleh Michael Faraday (1791-1867) pada hakikatnya adalah suatu alat
yang dapat menyimpan energi/ muatan listrik di dalam medan listrik, dengan cara
mengumpulkan ketidakseimbangan internal dari muatan listrik atau komponen
listrik yang mampu menyimpan muatan listrik yang dibentuk oleh permukaan
(piringan atau kepingan) yang berhubungan yang dipisahkan oleh suatu penyekat.
Cara
membaca capacitor:
1.
Ketahui
unit pengukuran kapasitor.
2. Baca nilai kapasitans.
3. Carilah nilai toleransi.
4. Periksa rating voltase
5. Cari lambang + atau -.
4. Ground
Grounding atau
Pentanahan adalah sistem pentanahan yang terpasang pada suatu instalasi listrik
yang bekerja untuk meniadakan beda potensial dengan mengalirkan arus sisa dari
kebocoran tegangan atau arus dari sambaran petir ke bumi.
Download Video: <disini>
Download Video 2 :<Disini>
Download Video 3 : <Disini>
Download Data sheet transistor: <disini>
Download Video 2 :<Disini>
Download Video 3 : <Disini>
Download Data sheet transistor: <disini>
Tidak ada komentar:
Posting Komentar